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　　各代际DRAM产品在12月均延续涨势， DDR4因原厂持续将产能转向利润更高的DDR5和HBM，供应持续减少，供需缺口仍然存在，推动8G和16G产品价格持续上涨。12月以来，存储芯片价格快速上涨已传导至终端产品，近期戴尔计划提价，其背后是全球AI数据中心建设对存储芯片的强劲需求，CFM预计2026年一季度服务器DDR5涨幅超40%，LPDDR4X/5X涨幅或达30%-35%。摩根大通预测2026年晶圆制造设备(WFE)支出将增长10%-12%，并持续至2027年。近期主要DRAM制造商美光科技计划在日本进行大规模投资，引发了半导体生产设备(SPE)制造商的大量询盘，相关设备和材料市场的整体回暖。

　　本届CES展上，芯片与存储产业链亮点纷呈，英伟达正式推出整合六款全新芯片的Rubin AI平台，其HBM4内存带宽较前代提升2.8倍，单GPU NVLink互连带宽翻倍；SK海力士首次亮相16层48GB HBM4产品，同步展出适配AI服务器的低功耗内存模组SOCAMM2及LPDDR6通用存储器，通过定制化HBM架构等创新技术，针对性解决AI场景下的数据传输瓶颈。AMD与英特尔也同步发力，AMD推出性能提升10倍的MI455XAI芯片，英特尔发布首款18A工艺酷睿Ultra3系列处理器，均强化了对高带宽、大容量存储的配套需求。